半导体工艺优点

高精度：800um V槽，正负3um、亚微米级光刻；

高集成度：可集成多种分立元件，如电阻，电容；

高性能表现：硅在光通信波段无吸收、高阻硅可支持高频需求；

海量制造：晶圆级贴装、晶圆级键合；

工艺成熟：金属溅射、SiO2/Si3N4薄膜、等离子刻蚀、金剥离。